Zusammensetzung zur Bildung eines Siliciumhaltigen Resist-Unterlageschichtfilms zur Bildung eines mit Fotovernetzung Ausgehärteten Resistunterlageschichtfilms
EP1972998
Art A1
24. September 2008
Anmelder: Nissan Chemical Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1972998
- Aktenzeichen
- EP06833856
- Anmeldetag
- 1. Dezember 2006
- Veröffentlichung
- 24. September 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G03F7/11H01L21/027
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Nissan Chemical Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Nissan Chemical Corporation
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, das agrochemische Wirkstoffe, elektronische Materialien sowie Feinchemikalien für die Halbleiterindustrie herstellt. Das Unternehmen wurde 1887 gegründet und hieß bis 2015 Nissan Chemical Industries.
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Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München