(110)-ausgerichtetes Siliziumsubstrat und gebondetes Substratpaar mit diesem (110)-ausgerichteten Siliziumsubstrat sowie entsprechende Herstellungsverfahren dafür

EP1973150 Art A1 24. September 2008

Anmelder: Soitec, S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A. 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1973150
Aktenzeichen: EP07290338
Anmeldetag: 20. März 2007
Veröffentlichung: 24. September 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies S.A.
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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