Verfahren zur Resiststrukturbildung und damit hergestellte Halbleitervorrichtung
EP1975719
Art A3
24. Dezember 2008
Anmelder: Renesas Electronics Corporation, Renesas Technology Corp. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1975719
- Aktenzeichen
- EP08005983
- Anmeldetag
- 28. März 2008
- Veröffentlichung
- 24. Dezember 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G03F7/11G03F7/20G03F7/09G03F7/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Renesas Electronics Corporation
Renesas Technology Corp. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Klein, Peter
München, Deutschland
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