Halbleiterschaltvorrichtung mit hoher Durchbruchspannung und Verfahren zu ihrer Herstellung

EP1976011 Art A3 31. März 2010

Anmelder: Hitachi, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1976011
Aktenzeichen
EP08002482
Anmeldetag
11. Februar 2008
Veröffentlichung
31. März 2010
Rechtsraum
EP
IPC
H01L27/12H01L29/786H01L21/331H01L29/06H01L29/10H01L29/417H01L29/40H01L29/78H01L21/336H01L29/08H01L29/739// H01L21/762
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Hitachi, Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Kirschner, Klaus Dieter München, Deutschland
863
Patente gesamt
32
Fachgebiete
23
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Schwerpunkte
Halbleiter & Elektrische Bauelemente Akustik, Musik & Datenspeicherung Software & Datenverarbeitung Nachrichtentechnik & Telekommunikation Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Metallurgie & Oberflächentechnik
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