Dünnschichttransistor mit Titanoxiden als aktiver Schicht und dessen Herstellungsverfahren
EP1976019
Art B1
15. Juni 2011
Anmelder: Korea Advanced Institute of Science and Technology 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1976019
- Aktenzeichen
- EP08005930
- Anmeldetag
- 28. März 2008
- Veröffentlichung
- 15. Juni 2011
- Erteilung
- 15. Juni 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Korea Advanced Institute of Science and Technology
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
KAIST
Südkoreanische technische Universität und Forschungsinstitution mit Fokus auf Ingenieurwissenschaften, Naturwissenschaften und Technologieentwicklung, unter anderem in Robotik und Elektronik.
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Vertreten von
Maser, Jochen
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