Verfahren zur Herstellung eines Halbleiters auf einer Isolationsvorrichtung mit Vorderseitigem Substrat-Kontakt
EP1977445
Art A1
8. Oktober 2008
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1977445
- Aktenzeichen
- EP07700565
- Anmeldetag
- 10. Januar 2007
- Veröffentlichung
- 8. Oktober 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/74H01L27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
1.451
Patente gesamt
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Fachgebiete
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
White, Andrew Gordon
NoneEindhoven