Feldeffekttransistor und Mehrschichtiger Epitaxialfilm zur Verwendung bei der Herstellung eines Feldeffekttransistors

EP1978550 Art A1 8. Oktober 2008

Anmelder: Renesas Electronics Corporation, NEC Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1978550
Aktenzeichen: EP06822252
Anmeldetag: 25. Oktober 2006
Veröffentlichung: 8. Oktober 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/338H01L29/778H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Renesas Electronics Corporation
NEC Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 NEC

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

19.509 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von