Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats mit Implantierungs- und Trennungsschritten.
EP1978554
Art A3
12. Oktober 2011
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1978554
- Aktenzeichen
- EP08004607
- Anmeldetag
- 12. März 2008
- Veröffentlichung
- 12. Oktober 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L21/265H01L27/12// H01L21/312H01L21/316H01L21/786H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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