Herstellungsverfahren für einen Dünnschichttransistor mit phasengetrennter Dielektrizitätsstruktur

EP1978573 Art B1 12. Juli 2017

Anmelder: Xerox Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1978573
Aktenzeichen: EP08152981
Anmeldetag: 19. März 2008
Veröffentlichung: 12. Juli 2017
Erteilung: 12. Juli 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L51/40H01L27/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Xerox Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Xerox

US-amerikanischer Technologiekonzern, der Drucker, Kopierer, Multifunktionsgeräte sowie Dokumentenmanagement- und Druckdienstleistungen für Unternehmen anbietet.

2.489 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von