Verfahren zum Bilden von Feldefffekttransistoren und Verfahren zum Bilden eines Integrierten Schaltkreises mit einer Transistor-Gate-Ausrichtung und Schaltkreis-Peripherriegerät für die Gate-Ausrichtung
EP1979937
Art B1
30. Juli 2014
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1979937
- Aktenzeichen
- EP07749192
- Anmeldetag
- 23. Januar 2007
- Veröffentlichung
- 30. Juli 2014
- Erteilung
- 30. Juli 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/423H01L21/8234H01L29/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
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