Verfahren zur Herstellung eines Gruppe-III-V-Verbindungshalbleiters, Schottky-Barrierendiode, Lichtemissionsdiode, Laserdiode und Herstellungsverfahren für die Dioden

EP1981069 Art A3 26. Juni 2013

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1981069
Aktenzeichen: EP08003392
Anmeldetag: 25. Februar 2008
Veröffentlichung: 26. Juni 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/205H01L21/02C23C16/30// H01L29/872

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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