Verfahren zur Herstellung einer Siliziumcarbid-Halbleiteranordnung

EP1981076 Art B1 23. Mai 2012

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1981076
Aktenzeichen: EP06834102
Anmeldetag: 6. Dezember 2006
Veröffentlichung: 23. Mai 2012
Erteilung: 23. Mai 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/28H01L29/51H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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