Herstellungsverfahren eines Silizium-Epitaxialwafers und entsprechend hergestellter Silizium-Epitaxialwafer
EP1983561
Art A2
22. Oktober 2008
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1983561
- Aktenzeichen
- EP08013793
- Anmeldetag
- 23. Mai 2002
- Veröffentlichung
- 22. Oktober 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/322
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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