Verfahren zur Füllung eines Isolationsbereiches eines Grabens mit Hohem Aspektverhältnis und Resultierende Struktur
EP1984946
Art A2
29. Oktober 2008
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1984946
- Aktenzeichen
- EP07762724
- Anmeldetag
- 3. Januar 2007
- Veröffentlichung
- 29. Oktober 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/763
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Carpmaels & Ransford LLP
Carpmaels & Ransford gehört zu den ältesten IP-Kanzleien überhaupt und geht auf eine 1776 gegründete Patentagentur zurück. Von London, München und Dublin aus führt sie als eine der wenigen Häuser Parallelverfahren vor EPA, UPC und britischen Gerichten aus einem Team.
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