Dünnfilmtransistor und Display mit Oxidhalbleiter und Gatedielektrikum mit Sauerstoff-Konzentrationsgradient

EP1984953 Art B1 12. Dezember 2018

Anmelder: Canon Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1984953
Aktenzeichen
EP07715131
Anmeldetag
23. Februar 2007
Veröffentlichung
12. Dezember 2018
Erteilung
12. Dezember 2018
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/786H01L29/49H01L29/51H01L29/66H01L21/02H01L21/28
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Canon Kabushiki Kaisha
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Canon

Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, der Kameras, Objektive, Drucker, Kopiergeräte sowie optische und medizinische Bildgebungstechnik entwickelt und herstellt.

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