Feldeffekttransistor mit einer Oxydschicht als Kanalschicht und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1984954
Art B1
5. Oktober 2011
Anmelder: Canon Kabushiki Kaisha 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1984954
- Aktenzeichen
- EP07738746
- Anmeldetag
- 8. März 2007
- Veröffentlichung
- 5. Oktober 2011
- Erteilung
- 5. Oktober 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Canon Kabushiki Kaisha
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Canon
Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, der Kameras, Objektive, Drucker, Kopiergeräte sowie optische und medizinische Bildgebungstechnik entwickelt und herstellt.
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Vertreten von
Weser, Wolfgang
München, Deutschland
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