Verfahren zum Herstellen eines Halbleitersubstrats

EP1986217 Art B1 24. April 2013

Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1986217
Aktenzeichen
EP07708227
Anmeldetag
8. Februar 2007
Veröffentlichung
24. April 2013
Erteilung
24. April 2013
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/02C30B31/22C30B33/06H01L21/20H01L21/265
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Shin-Etsu Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.

4.655 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen