Verfahren zum Herstellen eines Halbleitersubstrats
EP1986217
Art B1
24. April 2013
Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1986217
- Aktenzeichen
- EP07708227
- Anmeldetag
- 8. Februar 2007
- Veröffentlichung
- 24. April 2013
- Erteilung
- 24. April 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02C30B31/22C30B33/06H01L21/20H01L21/265
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
4.655 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München