Verfahren zur Herstellung eines SOI-Substrats und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

EP1986230 Art A2 29. Oktober 2008

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1986230
Aktenzeichen: EP08004781
Anmeldetag: 14. März 2008
Veröffentlichung: 29. Oktober 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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