Verfahren zur Herstellung von Partiellen Soi-Strukturen mit Zonen, die eine Oberflächenschicht und ein Substrat Verbinden
EP1989732
Art A1
12. November 2008
Anmelder: Soitec, S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies, Tracit Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1989732
- Aktenzeichen
- EP07712320
- Anmeldetag
- 26. Februar 2007
- Veröffentlichung
- 12. November 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.TEC Silicon on Insulator Technologies
Tracit Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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🇫🇷
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies war ein französischer Hersteller von Silizium-auf-Isolator-Wafern für die Halbleiterindustrie, das heutige Unternehmen firmiert als Soitec. Der Patentbestand konzentriert sich fast ausschließlich auf Halbleiterbauelemente und Waferbondverfahren.
323 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Ilgart, Jean-Christophe
Paris, Frankreich
2.520
Patente gesamt
34
Fachgebiete
23
Anmelder-Länder
Schwerpunkte