Einzelkristalllegierungen mit mässiger Dichte, niedriger Dichte und extrem niedriger Dichte für hohe AN2-Anwendungen
EP1990434
Art B1
29. September 2010
Anmelder: United Technologies Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1990434
- Aktenzeichen
- EP07254856
- Anmeldetag
- 13. Dezember 2007
- Veröffentlichung
- 29. September 2010
- Erteilung
- 29. September 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C22C19/05C30B11/00C22F1/00F01D5/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- United Technologies Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
RTX Corporation
US-amerikanischer Luft- und Raumfahrt- sowie Verteidigungskonzern, entstanden aus Raytheon und United Technologies. Entwickelt und fertigt Triebwerke, Avionik, Radarsysteme, Raketen- und Verteidigungstechnik für zivile und militärische Kunden.
10.206 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Hall, Matthew Benjamin
London, Großbritannien
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