Halbleiter-Leuchtdiode mit einem Silizium-Nano-Dot und Herstellungsverfahren dafür

EP1992019 Art B1 4. September 2013

Anmelder: Electronics and Telecommunications Research Institute 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1992019
Aktenzeichen: EP06769057
Anmeldetag: 27. Juni 2006
Veröffentlichung: 4. September 2013
Erteilung: 4. September 2013
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Electronics and Telecommunications Research Institute
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 ETRI (Electronics and Telecommunications Research Institute)

Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Daejeon. Forscht in Telekommunikation, Halbleitertechnik, künstlicher Intelligenz, Rundfunktechnik und Informations- und Kommunikationstechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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