Halbleiterschicht für Dünnschichttransistoren
EP1993122
Art A3
28. April 2010
Anmelder: Samsung Electronics Co., Ltd., Xerox Corporation 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1993122
- Aktenzeichen
- EP08156207
- Anmeldetag
- 14. Mai 2008
- Veröffentlichung
- 28. April 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/368H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Samsung Electronics Co., Ltd.
Xerox Corporation - Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Samsung Electronics
Südkoreanischer Elektronikkonzern und Teil der Samsung-Gruppe. Entwickelt und produziert Halbleiter, Speicherchips, Displays, Smartphones, Unterhaltungselektronik sowie Haushaltsgeräte für den globalen Markt.
25.043 Patente in unserer Datenbank
🇺🇸
Xerox
US-amerikanischer Technologiekonzern, der Drucker, Kopierer, Multifunktionsgeräte sowie Dokumentenmanagement- und Druckdienstleistungen für Unternehmen anbietet.
2.974 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Greene, Simon Kenneth
Sevenoaks, Großbritannien
2.080
Patente gesamt
33
Fachgebiete
22
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Jones, Helen M.M
NoneLondon