MOSFET-Vorrichtung mit mehreren Gates und Herstellungsverfahren dafür

EP1993136 Art A1 19. November 2008

Anmelder: IMEC, Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC) 🇧🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1993136
Aktenzeichen: EP07108184
Anmeldetag: 14. Mai 2007
Veröffentlichung: 19. November 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/12H01L21/84H01L29/04H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: IMEC
Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC)
Land: 🇧🇪 Belgien

🇧🇪 imec

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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