Herstellungsverfahren für Speicherelement, Laserbestrahlungsvorrichtung und Laserbestrahlungsverfahren
EP1993781
Art A1
26. November 2008
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1993781
- Aktenzeichen
- EP07707553
- Anmeldetag
- 22. Januar 2007
- Veröffentlichung
- 26. November 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B23K26/067B23K26/06G06K19/07H01L21/02H01L21/20H01L21/28H01L21/336H01L21/8246H01L27/10H01L27/112H01L27/12H01L29/786B23K101/42G03F7/20H01L21/027
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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