GaN-Substrat und epitaktisches Substrat und lichtemittierendes Halbleiterbauelement mit dem Substrat

EP1995786 Art A1 26. November 2008

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1995786
Aktenzeichen: EP08008599
Anmeldetag: 7. Mai 2008
Veröffentlichung: 26. November 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/04H01L29/20H01L33/00H01S5/343C30B25/18// H01S5/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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