Halbleitervorrichtung mit halbleitender Oxidschicht und Herstellungsverfahren dafür

EP1995787 Art A3 18. Januar 2012

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1995787
Aktenzeichen: EP08016239
Anmeldetag: 12. September 2006
Veröffentlichung: 18. Januar 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L21/77

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von