Einkristallines GaN-Substrat und damit hergestellte Laserdiode

EP1995796 Art B1 30. Juni 2010

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1995796
Aktenzeichen: EP08014729
Anmeldetag: 8. Oktober 2002
Veröffentlichung: 30. Juni 2010
Erteilung: 30. Juni 2010
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/00C30B25/02C30B23/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.182 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von