Verfahren zur Erhöhung der Leistung von Hvmos-Vorrichtungen
EP1997131
Art A2
3. Dezember 2008
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1997131
- Aktenzeichen
- EP07758330
- Anmeldetag
- 12. März 2007
- Veröffentlichung
- 3. Dezember 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L21/8234
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Vertreten von
Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
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