Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und dessen Struktur
EP1997132
Art A2
3. Dezember 2008
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1997132
- Aktenzeichen
- EP07797138
- Anmeldetag
- 22. Februar 2007
- Veröffentlichung
- 3. Dezember 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L21/336H01L29/423H01L29/788H01L29/792
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
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