Halbleiterfeldeffekttransistor, Speicherzelle und Speicherbaustein
Anmelder: Micron Technology, Inc., STMicroelectronics Srl, STMicroelectronics S.r.l. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1997148
- Aktenzeichen
- EP06745237
- Anmeldetag
- 20. März 2006
- Veröffentlichung
- 3. Dezember 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L27/06H01L27/115H01L27/12H01L21/822
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
STMicroelectronics Srl
STMicroelectronics S.r.l. - Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
3.785 Patente in unserer Datenbank
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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Fachgebiete
Carpmaels & Ransford gehört zu den ältesten IP-Kanzleien überhaupt und geht auf eine 1776 gegründete Patentagentur zurück. Von London, München und Dublin aus führt sie als eine der wenigen Häuser Parallelverfahren vor EPA, UPC und britischen Gerichten aus einem Team.
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Leinweber & Zimmermann
Leinweber & Zimmermann · München