Halbleitervorrichtung mit Halbleiter-Oxidschicht und Herstellungsverfahren

EP1998375 Art A3 18. Januar 2012

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1998375
Aktenzeichen: EP08016242
Anmeldetag: 12. September 2006
Veröffentlichung: 18. Januar 2012
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/786H01L21/77

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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