Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors mit Selbstjustierten Gates
EP1999786
Art A2
10. Dezember 2008
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1999786
- Aktenzeichen
- EP07731203
- Anmeldetag
- 26. März 2007
- Veröffentlichung
- 10. Dezember 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/786H01L21/84H01L27/12H01L29/45
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Fachgebiete
Kanzlei
Cabinet Hecké
Grenoble, Frankreich
1997 in Grenoble gegründet, übernahm 2002 die Praxis von Gérard Hecke. Begleitet Mandanten der Region bei Patenten, Marken, Designs, Urheberrechten, Verträgen, Streitigkeiten und Technologietransfers in Frankreich und im Ausland.
570
Patente gesamt
1
Patentanwälte
1
Standorte
Weitere Vertreter
-
Hecké, Gérard
NoneGrenoble
-
Jouvray, Marie-Andrée
NoneGrenoble