Züchtungsverfahren eines GaN-Kristalls und GaN-Kristallsubstrat

EP2000565 Art A1 10. Dezember 2008

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2000565
Aktenzeichen: EP08009966
Anmeldetag: 30. Mai 2008
Veröffentlichung: 10. Dezember 2008
Rechtsraum: EP
IPC: C30B25/02C30B29/40C30B33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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