Verfahren zur Züchtung von Iii-Nitrid-Einzelkristallen
EP2000567
Art B1
31. Dezember 2014
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2000567
- Aktenzeichen
- EP07739311
- Anmeldetag
- 22. März 2007
- Veröffentlichung
- 31. Dezember 2014
- Erteilung
- 31. Dezember 2014
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/38C30B23/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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