Halbleiterbauelement
EP2001047
Art A1
10. Dezember 2008
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2001047
- Aktenzeichen
- EP08009111
- Anmeldetag
- 16. Mai 2008
- Veröffentlichung
- 10. Dezember 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/56H01L23/29H01L23/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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