Halbleiterbauelement
EP2002383
Art B1
25. April 2012
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2002383
- Aktenzeichen
- EP07738092
- Anmeldetag
- 2. März 2007
- Veröffentlichung
- 25. April 2012
- Erteilung
- 25. April 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06K19/07B81B7/00H01Q1/22H01Q1/36H01Q1/38H01Q7/00H01Q9/28H01L41/00H01L41/113
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
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