Nichtflüchtiger Speicherbaustein und Programmierbare Spannungsreferenz für einen Nichtflüchtigen Speicherbaustein
EP2002445
Art B1
27. April 2011
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2002445
- Aktenzeichen
- EP06707580
- Anmeldetag
- 16. März 2006
- Veröffentlichung
- 27. April 2011
- Erteilung
- 27. April 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/30G11C5/14
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Ferro, Frodo Nunes
Toulouse, Frankreich
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