Methode zum Aufwachsen von Nanofin Transistoren
EP2002470
Art B1
9. März 2016
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2002470
- Aktenzeichen
- EP07809002
- Anmeldetag
- 3. April 2007
- Veröffentlichung
- 9. März 2016
- Erteilung
- 9. März 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/66H01L29/786H01L27/105H01L27/108H01L29/423H01L29/78H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
5.073 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Maury, Richard Philip
St. Albans, Großbritannien
1.676
Patente gesamt
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Fachgebiete
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Weitere Vertreter
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Collins, John David
NoneLondon