Verfahren zum Ablösen eines Dünnfilms durch Schmelzniederschläge
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, Soitec, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2002474
- Aktenzeichen
- EP07731215
- Anmeldetag
- 28. März 2007
- Veröffentlichung
- 21. September 2016
- Erteilung
- 21. September 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
Soitec
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
529 Patente in unserer Datenbank
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.929 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
-
Quantin, Bruno Marie Henri
NoneParis