Graben-Gate-Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
EP2002482
Art A2
17. Dezember 2008
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2002482
- Aktenzeichen
- EP07735251
- Anmeldetag
- 26. März 2007
- Veröffentlichung
- 17. Dezember 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/40H01L21/336H01L29/06H01L29/423H01L29/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
1.451
Patente gesamt
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Fachgebiete
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
White, Andrew Gordon
NoneEindhoven