GaN-Substrat, Substrat mit Epitaxialschicht, Halbleiterbauelement sowie Verfahren zur Herstellung eines GaN-Substrats

EP2003696 Art B1 29. Februar 2012

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2003696
Aktenzeichen: EP08010208
Anmeldetag: 4. Juni 2008
Veröffentlichung: 29. Februar 2012
Erteilung: 29. Februar 2012
Rechtsraum: EP
IPC: C30B25/02C30B25/18C30B25/20C30B29/40H01L29/04H01L29/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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