Verfahren zur Herstellung einer Struktur mit mindestens einer Dünnen Schicht in einem Amorphen Material, Erhalten durch Epitaxie auf einem Trägersubstrat
EP2005466
Art B1
17. Juli 2013
Anmelder: Soitec, S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2005466
- Aktenzeichen
- EP07726870
- Anmeldetag
- 13. März 2007
- Veröffentlichung
- 17. Juli 2013
- Erteilung
- 17. Juli 2013
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Soitec
S.O.I.Tec Silicon on Insulator Technologies - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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Collin, Jérôme
Paris, Frankreich
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Regimbeau
Regimbeau · Rennes