Herstellungsverfahren für Halbleiter mittels Ätzstoppschicht zur Optimierten Bildung von Source-Drain-Stressor
EP2005477
Art A2
24. Dezember 2008
Anmelder: North Star Innovations Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2005477
- Aktenzeichen
- EP07757316
- Anmeldetag
- 22. Februar 2007
- Veröffentlichung
- 24. Dezember 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/76H01L21/762H01L29/786H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- North Star Innovations Inc.
Freescale Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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Fachgebiete
Vertreten von
Wray, Antony John
Basingstoke, Großbritannien
604
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Weitere Vertreter
-
Ferro, Frodo Nunes
NoneToulouse