Vorrichtung zur Dotierung, Beschichtung oder Oxidation von Halbleitermaterial bei niedrigem Druck

EP2006883 Art B1 18. Dezember 2013

Anmelder: Centrotherm Photovoltaics AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2006883
Aktenzeichen
EP08104050
Anmeldetag
21. Mai 2008
Veröffentlichung
18. Dezember 2013
Erteilung
18. Dezember 2013
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/67
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Centrotherm Photovoltaics AG
Land
🇩🇪 Deutschland

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Heyerhoff, Markus Überlingen, Deutschland
56
Patente gesamt
17
Fachgebiete
5
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik Metallurgie & Oberflächentechnik Haushalts-, Möbel- & Konsumgüter Heiz-, Kühl- & Beleuchtungstechnik Maschinenelemente & Fluidtechnik
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