Geätzte Nanofin-Transistoren
EP2008309
Art A1
31. Dezember 2008
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2008309
- Aktenzeichen
- EP07754850
- Anmeldetag
- 3. April 2007
- Veröffentlichung
- 31. Dezember 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06H01L29/786H01L21/8242H01L29/78H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Maury, Richard Philip
St. Albans, Großbritannien
1.676
Patente gesamt
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Weitere Vertreter
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Collins, John David
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