Verfahren zum Hochtemperaturätzen einer Gatestruktur aus Material mit hoher Dielektrizitätskonstante
EP2009681
Art A3
28. Juli 2010
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2009681
- Aktenzeichen
- EP08158919
- Anmeldetag
- 25. Juni 2008
- Veröffentlichung
- 28. Juli 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/311H01L21/3213
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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Vertreten von
Peterreins, Frank
München, Deutschland
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