Vom Substrat isolierter Finfet-Feldeffekttransistor
EP2009682
Art B1
6. April 2011
Anmelder: STMicroelectronics (Crolles 2) SAS, IMEC, Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC) 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2009682
- Aktenzeichen
- EP08158608
- Anmeldetag
- 19. Juni 2008
- Veröffentlichung
- 6. April 2011
- Erteilung
- 6. April 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
IMEC
Interuniversitair Microelektronica Centrum (IMEC) - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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Fachgebiete
Vertreten von
Boire, Philippe Maxime Charles
Paris, Frankreich
75
Patente gesamt
14
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3
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