Verfahren zur Herstellung eines SOI-Substrats und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

EP2009687 Art B1 17. August 2016

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2009687
Aktenzeichen: EP08010537
Anmeldetag: 10. Juni 2008
Veröffentlichung: 17. August 2016
Erteilung: 17. August 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L29/786H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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