Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür

EP2009694 Art A3 21. Juni 2017

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2009694
Aktenzeichen: EP08010529
Anmeldetag: 10. Juni 2008
Veröffentlichung: 21. Juni 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/12H01L21/77H01L29/786H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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