Verfahren zur Herstellung eines Lichtemittierenden Elements, Verbindungshalbleiterwafer
EP2009706
Art B1
30. Dezember 2015
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2009706
- Aktenzeichen
- EP07738921
- Anmeldetag
- 19. März 2007
- Veröffentlichung
- 30. Dezember 2015
- Erteilung
- 30. Dezember 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L33/14H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
1.022 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Lamb, Martin John Carstairs
London, Großbritannien
1.633
Patente gesamt
34
Fachgebiete
20
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Oxley, Robin John George
NoneLondon
-
Whalley, Kevin
NoneLondon