Verfahren zur Herstellung eines Lichtemittierenden Elements, Verbindungshalbleiterwafer

EP2009706 Art B1 30. Dezember 2015

Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2009706
Aktenzeichen
EP07738921
Anmeldetag
19. März 2007
Veröffentlichung
30. Dezember 2015
Erteilung
30. Dezember 2015
Rechtsraum
EP
IPC
H01L33/14H01L21/205
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

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